| | Вісник НТУУ "КПІ" - Випуск №50 | |

Воронов С. О., Богорош О. Т., Муравов С. О., Гордійко Н. О.
ДОСЛІДЖЕННЯ ТОНКИХ ПЛІВОК СЕГНЕТОЕЛЕКТРИКІВ НА КРЕМНІЄВІЙ ПІДКЛАДЦІ
завантажити (стр. 84-92)
УДК 538.913;538.958
Основним матеріалом, що використовується у сегнетоелектричних транзисторах і конденсаторах для формування енергонезалежної пам’яті, є змішані поліметалічні оксиди, зокрема, – сімейство Pb(ZrxTi1-x)O3 (PZT). До основи PZT можуть додаватися легуючі добавки різних металів та їх оксидів, невеликі домішки яких істотно впливають на властивості PZT. Тривають пошуки матеріалів з найкращими властивостями для створення конденсаторів і транзисторів на базі феромагнітних сегнетоелектриків. Мета роботи – розробка методики формування й вимірювання електрофізичних властивостей сегнетоплівок на основі складних оксидів PbTiO3, нанесених на кремнієву підкладку, як реєструючих середовищ носіїв інформації для зовнішніх пристроїв пам’яті. Представлено методику формування та вимірювання плівок PbTiO3, нанесених на диски з монокристалічного кремнію Si (100). Рентгенографічні й електронно-мікроскопічні дослідження показали, що ці плівки характеризуються обмеженою текстурою зі структурою перовськіту. Показана можливість використання отриманих плівок як реєструючих середовищ для енергонезалежних перезаписуваних носіїв інформації.
Ключові слова: тонкі сегнетоелектричні плівки, вольт-фарадні характеристики, поліметалічні оксиди

Вісник №50

03056, м. Київ-56, пр. Перемоги, 37.
© НТУУ “КПІ”, 2015