Автори: Молодык А. В., Пономаренко А. А., Балтабаев Н. Н.
Исследуется возможность выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии структур с квантовыми ямами с двумя активными областями, каждая из которых обладает чувствительностью в заданной области спектра. Проводиться детальный анализ технологических процессов, достоинств и недостатков таких методов как МОС-гидридная эпитаксия и молекулярно-лучевая эпитаксия. Проведен анализ приемников, осуществляющих прием слабых сигналов в двух спектральных областях ИК – спектра. Результаты работы могут быть применены в ходе разработки монолитных двухспектральных фотоприемников, которые представляют особый интерес в сфере радиообнаружения и дальнометрии.
Ключові слова: фотоприемники длинноволнового диапазона, структуры с квантовыми ямами, МОС-гидридная эпитаксия.
Вісник НТУУ «КПІ». Приладобудування
Рік видання: 2014
Номер: 48
УДК: 532.2
С. 130—135.
|